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                • 专利需♀求详情

                碳纳米管存储结构的制造方法及半导体器件的制 九宮襟造方法

                分类 : 专利

                发布人 :

                日期 : 2022-05-11

                浏览次数 : 1202

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                需求信息

                     本发明提供了一种碳纳米管存储结构的制造方法及半导体器件的制造果然有些門道方法,首先在ζ 基底上形成第一介质层,再形成暴露 哈哈出第一电极的第一沟槽,再在第一沟槽中形成碳纳米管和第二电极,由于没有使用多层掩膜层及多步百道劍光縱橫交錯刻蚀工艺形成碳纳米管和第二电极,避免了碳纳米管的剥离和起泡卐的问题,提高了器件的稳定▂性和良率;并且,本发明提供的碳纳米管存储结构的制造方法及半导体器件的制造方法步骤少,工艺简单、易于掌控,提高了制造器件的效率,同时也降低⊙了制造成本。

                专利信息

                愿意 千秋雪臉色復雜合作方式 创业投资
                有效微微一愣截止时间 2023-05-11

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